--- 产品参数 ---
- 封装 TO252
- 沟道 Single-P
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### AP9575H-VB 产品简介
AP9575H-VB 是一款单P沟道MOSFET,采用TO252封装。该MOSFET具有负电压控制能力,适用于需要高电压承受能力和低导通电阻的应用场合。通过先进的沟槽技术,AP9575H-VB 提供了可靠的电气性能,适合在各种功率管理和开关电路中应用。
### AP9575H-VB 详细参数说明
- **封装形式**:TO252
- **配置**:单P沟道
- **漏源极电压 (VDS)**:-60V
- **栅源极电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:-1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 72mΩ @ VGS = 4.5V
- 61mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**:-30A
- **技术类型**:Trench(沟槽技术)
### 应用领域和模块示例
AP9575H-VB MOSFET 可广泛应用于以下领域和模块:
1. **电源逆变器**:在需要负电压控制和高功率输出的电源逆变器中,如工业电源逆变器和太阳能逆变器中,AP9575H-VB 可以提供稳定的电源转换效率和可靠性。
2. **电动车充电器**:适用于电动车充电器中的开关电路和电池管理系统,通过其高电流承载能力和低导通电阻,实现快速充电和高效能量转换。
3. **工业自动化**:在工业控制设备和自动化系统中的电机驱动和功率开关模块中,AP9575H-VB 可以提供精确的电流控制和高效的电能管理,保证设备的稳定运行和能效优化。
4. **LED照明**:用于LED照明产品中的驱动器电路,通过其高电流能力和低导通电阻,提升LED灯具的亮度和能效,满足不同应用场合的照明需求。
5. **音频放大器**:在高功率音频放大器中的功率放大模块,AP9575H-VB 可以作为关键的功率开关元件,实现高保真音频输出和动态范围。
通过以上示例,可以看出AP9575H-VB MOSFET 在多个高功率和高效能应用领域中具有重要的应用价值,为现代电子技术的发展和应用提供了强大的支持。
为你推荐
-
AP9T18J-VB一款Single-N沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:11
产品型号:AP9T18J-VB 封装:TO251 沟道:Single-N -
AP9T18GH-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:10
产品型号:AP9T18GH-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP9T18GEH-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:09
产品型号:AP9T18GEH-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP9T16J-VB一款Single-N沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:08
产品型号:AP9T16J-VB 封装:TO251 沟道:Single-N -
AP9T16H-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:06
产品型号:AP9T16H-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP9T16GH-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:05
产品型号:AP9T16GH-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP9T16AGH-HF-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:04
产品型号:AP9T16AGH-HF-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP9T15J-VB一款Single-N沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:03
产品型号:AP9T15J-VB 封装:TO251 沟道:Single-N -
AP9T15H-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:01
产品型号:AP9T15H-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP9T15GJ-HF-VB一款Single-N沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:00
产品型号:AP9T15GJ-HF-VB 封装:TO251 沟道:Single-N