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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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AP9912J-VB一款Single-N沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: AP9912J-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 TO251
  • 沟道 Single-N

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### AP9912J-VB 产品简介

AP9912J-VB是一款单N沟道功率MOSFET,采用先进的Trench技术,具有低导通电阻和高电流承载能力。该器件封装为TO251,适合需要高效能和高电流负载的功率开关和电源管理应用。

### AP9912J-VB 详细参数说明

- **封装类型**: TO251
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 30V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
 - 9mΩ @ VGS=4.5V
 - 7mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 50A
- **技术**: Trench

### AP9912J-VB 应用领域和模块

AP9912J-VB适用于以下领域和模块,特别是需要高效能和高电流处理能力的应用场景:

1. **电源转换器**:
  - 在DC-DC变换器和AC-DC转换器中,AP9912J-VB可以作为功率开关使用,支持高效能的电源管理,确保稳定的电力输出。

2. **电动工具和家电**:
  - 在电动工具和家用电器中,该器件可以用于电机驱动器的开关电源,提升设备的性能和能效。

3. **汽车电子**:
  - 在汽车电子系统中,AP9912J-VB可以应用于电动汽车、混合动力车辆的电机控制和电池管理系统,支持高功率和高效能的驱动。

4. **工业自动化**:
  - 在工业控制系统和自动化设备中,该MOSFET可用于电机驱动、机器人控制和传感器模块,确保设备的稳定运行和高效能。

5. **电池管理和充电系统**:
  - 在电池管理和充电系统中,AP9912J-VB可以用于电池保护、充放电控制和直流电源管理,提供稳定和安全的电力管理功能。

综上所述,AP9912J-VB以其高电流容量、低导通电阻和优异的电气特性,适合多种高功率、高电流的应用场合,满足工业、汽车和电源管理等领域的需求。

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