--- 产品参数 ---
- 封装 TO220F
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 1. 产品简介
AP9971GI-VB 是一款单 N-沟道 MOSFET,采用先进的 Trench 技术制造,旨在提供高性能和稳定性。封装为TO220F,适合于需要高电流和低导通电阻的应用场合,能有效散热并提供可靠的电力控制解决方案。
### 2. 参数说明
- **型号**: AP9971GI-VB
- **封装**: TO220F
- **结构**: 单 N-沟道
- **耐压 (VDS)**: 60V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 27mΩ @ VGS = 10V
- **连续漏极电流 (ID)**: 45A
- **技术**: Trench
### 3. 应用示例
AP9971GI-VB 在多个领域和模块中有广泛的应用,例如:
- **电源管理**: 适用于开关电源和电源逆变器,因为其低导通电阻和高耐压特性,可提供高效的电能转换和稳定的电力输出。
- **电动工具**: 可用于电动工具的电机控制,支持高功率和可靠的动力传输。
- **电动车辆**: 在电动车辆的电动机驱动和电池管理系统中,提供可靠的电力控制和节能解决方案。
- **工业自动化**: 作为工业控制系统中的开关和电流调节器,帮助实现精确的电力管理和设备自动化。
- **电源逆变器**: 在逆变器中的开关模块,支持直流到交流的高效能转换,用于各种应用如太阳能逆变器和UPS系统中。
以上示例展示了 AP9971GI-VB 在不同领域和模块中的应用潜力,利用其高性能和可靠性为各种电子和工业设备提供解决方案。
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