--- 产品参数 ---
- 封装 TO220F
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
AP9972GI-VB 是一款单路N沟道MOSFET,采用槽道结构技术,具备高性能和可靠性,适用于需要高电流和低导通电阻的应用。
### 详细参数说明
- **包装类型:** TO220F
- **配置:** 单路N沟道
- **漏极-源极电压(VDS):** 60V
- **门极-源极电压(VGS):** ±20V
- **门极阈值电压(Vth):** 2.5V
- **导通电阻(RDS(ON)):**
- 12mΩ @ VGS=4.5V
- 10mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID):** 70A
- **技术特点:** 槽道结构
### 应用领域和模块示例
AP9972GI-VB 在以下领域和模块中有广泛的应用:
1. **电动工具和电动车辆:** 由于其高漏极电流和低导通电阻,适用于电动工具和电动车辆的电机驱动系统,能够提供高效的功率输出和优良的热管理能力。
2. **电源管理和稳压器:** 在开关电源和稳压器中,AP9972GI-VB 可以用于高功率的电源管理和稳定的电压输出,保证设备的稳定性和可靠性。
3. **工业自动化和机器人控制:** 在工业自动化设备、机器人控制系统和自动化生产线中,AP9972GI-VB 的高电流承载能力和低电阻特性使其成为电流控制和功率管理的理想选择。
4. **电动化航空航天系统:** 用于航空航天器的电动化系统,包括电动舵机控制、电源管理和电动推进系统,能够满足极端环境下的高功率需求和稳定性要求。
这些示例展示了 AP9972GI-VB 在多个领域中的应用潜力,其优秀的电特性和先进的槽道结构技术使其成为高功率电子设计中的重要组成部分。
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