--- 产品参数 ---
- 封装 TO252
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 1. 产品简介:
AP9980GH-HF-VB 是一款单通道 N 沟道 MOSFET,采用 Trench 技术制造。它具有高电压容忍度和优异的导通特性,适用于要求较高功率和可靠性的电子应用。
### 2. 详细参数说明:
- **包装类型(Package):** TO252
- **工作电压(VDS):** 100V
- **栅极-源极电压(VGS):** ±20V
- **门槽电压阈值(Vth):** 1.8V
- **导通电阻(RDS(ON)):**
- 35mΩ @ VGS = 4.5V
- 30mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流(ID):** 40A
- **技术(Technology):** Trench
### 3. 应用举例:
- **电源管理和开关电源:** AP9980GH-HF-VB 可以用于高功率开关电源和电源适配器,特别是需要高效能和高电压容忍度的应用场合。
- **电动工具和电机驱动:** 在工业电动工具、电动车辆和大功率电机驱动系统中,该器件能够提供可靠的功率开关和高效的电流控制。
- **电动车辆充电管理:** 由于其高电压容忍度和低导通电阻,适合用于电动车辆的充电管理系统,确保高效、快速的充电过程。
AP9980GH-HF-VB 在高电压、高功率和稳定性要求的电子设备中展示了其广泛的应用潜力,特别是在需要处理大电流和高压的环境下表现突出。
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