--- 产品参数 ---
- 封装 SOP8
- 沟道 Dual-N+N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 1. 产品简介详述:
AP9980GM-HF-VB是一款双N+N沟道场效应管(MOSFET),采用Trench技术制造。它具有高集成度和优异的电气特性,适合于需要高效能和可靠性的电路应用。
### 2. 详细参数说明:
- **包装形式:** SOP8
- **VDS(漏极-源极电压):** 80V
- **VGS(栅极-源极电压):** ±20V
- **阈值电压(Vth):** 1.7V
- **静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):** 62mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流(ID):** 3.5A
### 3. 应用示例:
该产品适用于以下领域和模块:
- **电源管理:** 在低电压DC-DC转换器和开关电源中,AP9980GM-HF-VB可以作为高效能的开关元件,用于电源管理和功率转换。
- **电动工具和电机控制:** 在需要处理中等功率和电流的电动工具和小型电机驱动中,该MOSFET能够提供可靠的电流开关和控制。
- **汽车电子:** 在汽车电子模块如照明、电动窗控制和电动座椅中,AP9980GM-HF-VB能够有效地处理高电流和高电压应用,确保系统的稳定性和效率。
- **LED驱动器:** 作为LED照明系统中的开关元件,可以帮助实现LED驱动器的高效能控制和精确调节。
这些应用示例展示了AP9980GM-HF-VB在多种需要高效率、高性能和可靠性的电子应用中的广泛应用场景。
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