--- 产品参数 ---
- 封装 SOP8
- 沟道 Dual-N+N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### AP9980M-VB MOSFET 产品简介
AP9980M-VB 是一款高性能的双N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用SOP8封装。它设计用于中高压应用,具备优异的功率管理和稳定性能。该器件采用先进的沟槽(Trench)技术制造,适合于各种要求高效能和可靠性的电源管理和开关应用。
### 详细参数说明
- **型号**: AP9980M-VB
- **封装**: SOP8
- **配置**: 双N-沟道
- **漏源电压(VDS)**: 80V
- **栅源电压(VGS)**: ±20V
- **阈值电压(Vth)**: 1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 62mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流(ID)**: 3.5A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块示例
1. **电源管理**:
- 在中高压电源管理单元和开关电源(SMPS)、逆变器和DC-DC转换器中,AP9980M-VB可作为主要的功率开关器件,提供稳定的电源输出和高效的能源转换。
2. **电动工具和电动车辆**:
- 适用于电动工具(如电动钻、电动锯等)和电动车辆(如电动自行车、电动滑板车)中的电机驱动和电源管理,其高电流处理能力和低导通电阻有助于提升设备的性能和能效。
3. **工业控制**:
- 在工业自动化控制系统中,特别是中高压的电流控制模块和功率开关中,AP9980M-VB能够确保设备的稳定运行和高效的电力管理。
4. **汽车电子**:
- 用于汽车电子系统中的高功率应用,如车辆动力电子控制模块、电动窗控制和电动座椅调节等,提供可靠的电流控制和功率输出。
AP9980M-VB MOSFET 通过其双N沟道配置、高漏源电压和先进的Trench技术,适用于需要高效能和可靠性的中高压功率管理和开关应用。
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