--- 产品参数 ---
- 封装 TO252
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### AP9997GH-HF-VB MOSFET 产品简介
AP9997GH-HF-VB 是一款高性能的单N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用TO252封装。它设计用于高压应用,具备优异的电流处理能力和低导通电阻。该器件采用先进的沟槽(Trench)技术制造,适合于各种要求高效能和可靠性的电源管理和开关应用。
### 详细参数说明
- **型号**: AP9997GH-HF-VB
- **封装**: TO252
- **配置**: 单N-沟道
- **漏源电压(VDS)**: 100V
- **栅源电压(VGS)**: ±20V
- **阈值电压(Vth)**: 1.8V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 114mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流(ID)**: 15A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块示例
1. **电源管理和转换**:
- 在高压电源管理和电源转换单元中,AP9997GH-HF-VB 可作为主要的功率开关器件,提供稳定的电源输出和高效的能源转换,适用于AC-DC和DC-DC转换器。
2. **电动工具**:
- 适用于电动工具(如电动钻、电动锯等)的电源管理模块,AP9997GH-HF-VB 具有高电流处理能力和低导通电阻,有助于提升设备的性能和效率。
3. **工业控制**:
- 在工业自动化控制系统中,特别是高压电流控制模块和开关电源中,AP9997GH-HF-VB 能确保设备的稳定运行和高效的电力管理,适用于工业电动机驱动和控制单元。
4. **太阳能逆变器**:
- 用于太阳能发电系统中的逆变器模块,AP9997GH-HF-VB 可作为关键的功率开关器件,支持高效的能量转换和电压调节,确保太阳能系统的高效能输出和稳定性。
AP9997GH-HF-VB MOSFET 通过其高漏源电压、高电流处理能力和先进的Trench技术,在电源管理和转换、电动工具、工业控制和太阳能逆变器等领域中具有广泛的应用前景。
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