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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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APM3023NUC-TR-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: APM3023NUC-TR-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 TO252
  • 沟道 Single-N

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 1. 产品简介:

APM3023NUC-TR-VB 是一款单通道 N 沟道 MOSFET,采用 Trench 技术制造,封装为 TO252。它具有低导通电阻和高电流承载能力,适合于中功率电子设备和电源管理应用。

### 2. 详细参数说明:

- **包装类型(Package):** TO252
- **配置(Configuration):** Single-N-Channel
- **漏源电压(VDS):** 30V
- **栅极-源极电压(VGS):** ±20V
- **门槽电压阈值(Vth):** 1.7V
- **导通电阻(RDS(ON)):**
 - 9mΩ @ VGS = 4.5V
 - 7mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流(ID):** 70A
- **技术(Technology):** Trench

### 3. 应用举例:

- **电源管理和电源开关:** APM3023NUC-TR-VB 可以用于电源管理模块和开关电源设计中,确保高效的电能转换和稳定的电流控制。特别适用于笔记本电脑和台式计算机的电源管理系统。

- **电动工具和电动车辆:** 在电动工具、电动车辆和电动自行车的电机驱动系统中,该 MOSFET 提供了可靠的功率开关和高效的电流控制,支持长时间运行和高功率输出。

- **LED 照明:** 在 LED 照明驱动电路中,APM3023NUC-TR-VB 可以作为高效能的电流开关,提供稳定的电流控制,确保 LED 灯具的长寿命和高光效。

APM3023NUC-TR-VB 由于其优异的导通特性和高电流承载能力,适用于需要高效率、高稳定性和长寿命的中功率电子设备和电源管理系统。

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