--- 产品参数 ---
- 封装 SOT89
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### APM3023PUC-TRL-VB 产品简介
APM3023PUC-TRL-VB 是一款单 N 沟道功率 MOSFET,采用先进的槽沟技术,具备低导通电阻和高效能特性,适合要求高效能和稳定性能的电路设计。
### 详细参数说明
- **型号**: APM3023PUC-TRL-VB
- **封装**: SOT89
- **通道类型**: 单 N 沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**: 30V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 30mΩ @ VGS = 2.5V
- 22mΩ @ VGS = 4.5V
- **漏极电流 (ID)**: 6.8A
- **技术**: 槽沟技术 (Trench)\
### 应用示例
APM3023PUC-TRL-VB 可以在以下领域和模块中得到广泛应用:
- **移动设备**: 适用于手机和平板电脑中的功率管理单元和电池管理系统,能够提供高效的电能转换和稳定的电源输出。
- **电源适配器**: 用于笔记本电脑和充电器中的开关电源电路,确保高效能的电能转换和稳定的输出电压。
- **消费电子**: 在各种消费类电子产品中,如智能家居设备、游戏机和娱乐系统中,用于电源管理和功率控制模块,提升设备性能和节能效果。
这些示例说明了 APM3023PUC-TRL-VB 在不同应用场景中的优势,能够满足电子设备对高效能、稳定性和节能的需求。
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