--- 产品参数 ---
- 封装 TO252
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 1. 产品简介详述:
APM4030ANUC-TRL-VB是一款单N沟道场效应管(MOSFET),采用了Trench技术制造,封装形式为TO252。它具有低导通电阻和高电流承载能力,适用于中功率的电子设备和电源管理应用,特别是在需要高效能N沟道MOSFET的电路中表现出色。
### 2. 详细参数说明:
- **包装形式:** TO252
- **VDS(漏极-源极电压):** 40V
- **VGS(栅极-源极电压):** ±20V
- **阈值电压(Vth):** 2.5V
- **静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):**
- 14mΩ @ VGS = 4.5V
- 12mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流(ID):** 55A
- **技术类型:** Trench
### 3. 应用示例:
该产品适用于以下领域和模块:
- **电源管理:** 在中功率电源管理系统中,APM4030ANUC-TRL-VB可以用作负载开关和电源控制器,特别适用于便携式设备、消费电子产品和工业控制系统中的高效电源转换和稳压。
- **电动工具和电动车辆:** 在电动工具、电动车辆和电动滑板车等设备的电源管理系统中,该MOSFET可用于电池保护、充放电控制和电动马达驱动,确保设备的高效运行和电源安全性。
- **汽车电子:** 在汽车电子系统中,如汽车灯光控制、电动窗控制和座椅加热系统中,APM4030ANUC-TRL-VB能够提供稳定可靠的功率管理和电压调节,以满足复杂的汽车电子系统需求。
- **工业自动化:** 在工业自动化设备、机器人控制和电机驱动系统中,该MOSFET可以用于高效能的电源开关和电机速度控制,提高设备的能效和性能。
这些示例展示了APM4030ANUC-TRL-VB在中功率电子设备和电源管理系统中的广泛应用,其优异的电气特性和高负载能力使其成为多种应用场景的理想选择。
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