--- 产品参数 ---
- 封装 TO252-4L
- 沟道 Common Drain-N+P
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 1. 产品简介
APM4048DU4C-TRG-VB 是一款双通道 MOSFET,结合了 N 沟道和 P 沟道设计,采用先进的 Trench 技术制造。该器件适用于需要同时控制正负极性电压的应用场合,如电源开关、功率转换器和驱动器。
### 2. 参数说明
- **型号**: APM4048DU4C-TRG-VB
- **封装**: TO252-4L
- **结构**: 共源极 N+P 沟道
- **耐压 (VDS)**: ±40V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.8V (N-Channel), -1.7V (P-Channel)
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- N 沟道:
- 14mΩ @ VGS = 4.5V
- 16mΩ @ VGS = 10V
- P 沟道:
- 14mΩ @ VGS = -4.5V
- 16mΩ @ VGS = -10V
- **连续漏极电流 (ID)**: ±50A
- **技术**: Trench
### 3. 应用示例
APM4048DU4C-TRG-VB 在以下领域和模块中有广泛的应用:
- **电源管理**: 用于高效能和高密度的开关电源系统,例如服务器电源、电信设备和工业电源系统中的 DC-DC 转换器和功率开关。
- **电动车充电**: 作为电动车充电系统中的功率开关器件,用于直流快速充电站和车辆充电管理系统中,提供高效能的功率转换和管理。
- **工业自动化**: 在工业机器人、PLC 控制系统和自动化设备中,用作电机驱动器和工业控制系统中的功率开关,确保设备高效稳定运行。
- **电池管理**: 在便携式电池设备、无线设备和消费电子产品中,作为电池保护和电源管理的关键组件,延长电池寿命并提高设备的运行效率。
APM4048DU4C-TRG-VB 的设计特性使其能够在多种要求严格的应用中提供可靠的功率转换和控制解决方案,为现代电子设备和系统提供了高效能和高性能的选择。
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