--- 产品参数 ---
- 封装 TO220
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
AUF1010EZ-VB 是一种单 N 沟道 MOSFET,封装在 TO220 外壳中。该器件采用 Trench 技术制造,专为高电流和中等电压应用设计。其低导通电阻和高电流承载能力使其在处理高功率和高效能量管理的应用中表现出色。AUF1010EZ-VB 适合用于需要高电流和低导通电阻的各种电子系统和模块,确保高效的电源管理和稳定的开关性能。
### 详细参数说明
- **封装类型**:TO220
- **配置**:单通道(N沟道)
- **漏源电压 (VDS)**:60V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- VGS = 10V: 5mΩ
- **漏极电流 (ID)**:120A
- **技术**:Trench
### 应用领域和模块示例
1. **电源管理**:
- AUF1010EZ-VB 在电源管理系统中表现优异,如高功率 DC-DC 转换器和开关电源。其低导通电阻和高电流能力使其能够处理高功率电源,提供高效能量转换和稳定的电源输出,适合用于需要高电流和低功率损耗的应用场合。
2. **高功率负载开关**:
- 在高功率负载开关应用中,该 MOSFET 能够可靠地控制大电流负载。其低导通电阻减少了开关过程中的功率损耗,适合用于需要高电流开关控制的系统,如工业设备和电力控制系统。
3. **电机驱动**:
- AUF1010EZ-VB 适用于电机驱动应用,特别是在高电流电机驱动系统中。其高电流承载能力和低导通电阻确保了电机的高效能量传输和稳定运行,广泛应用于工业电机驱动和电动车辆电机控制。
4. **功率逆变器**:
- 在功率逆变器中,该 MOSFET 的高电流能力和低 RDS(ON) 使其成为理想选择。它能够处理逆变器中的高功率转换,保证逆变器系统在高电流条件下的可靠性和高效性,适用于太阳能逆变器和其他功率逆变器应用。
AUF1010EZ-VB 的高电流承载能力和低导通电阻,使其在高功率应用中非常实用,特别是在需要高效能量管理和高效开关性能的场合。
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