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微碧半导体VBsemi

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AUFS4310Z-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: AUFS4310Z-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 TO263
  • 沟道 Single-N

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介

AUFS4310Z-VB 是一款高性能的单N沟道功率MOSFET,采用TO263封装,专为高电流和高电压应用设计。它利用先进的沟槽技术提供了极低的导通电阻和卓越的电流承载能力,适合用于要求高效率和高可靠性的电源管理和功率开关应用。

### 详细参数说明

- **封装类型**: TO263
- **配置**: 单N沟道
- **最大漏源电压 (VDS)**: 100V
- **最大栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 4mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 140A
- **技术**: 沟槽型

### 应用领域和模块

1. **高功率电源管理**: AUFS4310Z-VB 非常适合用于高功率电源管理系统,如高效DC-DC转换器和电源适配器。它的低导通电阻和高电流能力使其能够处理大功率应用中的高效电源转换。

2. **电动汽车**: 在电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中,该MOSFET 可以用于电池管理系统(BMS)和功率转换系统,提供可靠的电流承载和高效的能量管理。

3. **电机驱动**: AUFS4310Z-VB 适合用于高电流电机驱动应用,如工业电机控制和电动工具。其高电流承载能力和低导通电阻确保了电机的高效驱动和稳定运行。

4. **逆变器和变频器**: 在太阳能逆变器和风力发电变频器等应用中,AUFS4310Z-VB 提供了高效的电能转换和稳定的性能,处理高电压和高电流条件下的功率开关。

5. **电力保护**: 该MOSFET 可用于高电流负载保护电路,如过流保护和短路保护模块,确保系统在异常条件下的安全和稳定。

AUFS4310Z-VB 的高电流承载能力和低导通电阻使其在多个高功率、高电压应用中表现优异,提供了高效和可靠的解决方案。

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