--- 产品参数 ---
- 封装 TO251
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
AUFU120Z-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用 TO251 封装,专为中等电压应用设计。具有 100V 的最大漏源电压和 12A 的漏极电流,这款 MOSFET 采用 Trench 技术,能提供稳定可靠的性能。其较低的导通电阻使其适合在需要高电流开关和功率管理的应用中使用。
### 详细参数说明
- **封装 (Package)**: TO251
- **配置 (Configuration)**: 单 N 沟道 (Single N-Channel)
- **漏源电压 (VDS)**: 100V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 200mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 12A
- **技术 (Technology)**: Trench
### 应用领域和模块
AUFU120Z-VB 的特性使其在多个领域和模块中表现出色:
1. **电源管理系统**:
- 在各种电源管理系统中,该 MOSFET 可以用作高电流开关,确保系统高效稳定的电力转换和分配。
2. **汽车电子**:
- 在汽车电子系统中,AUFU120Z-VB 可以用于电机驱动和功率控制,如电动窗户、车灯控制等,提供可靠的开关性能和电流管理。
3. **消费电子产品**:
- 在消费电子产品中,如移动设备和笔记本电脑,AUFU120Z-VB 可用于电源管理模块,帮助优化功率转换和提升电池寿命。
4. **LED 驱动器**:
- 适用于高功率 LED 驱动器,AUFU120Z-VB 能够提供稳定的电流支持,确保 LED 照明系统的高效和可靠性。
5. **工业控制系统**:
- 在工业控制系统中,该 MOSFET 能够处理高电流应用,如电机驱动和功率调节,提升系统的整体性能和稳定性。
通过这些应用实例,AUFU120Z-VB 展现了其在中等电压和高电流应用中的广泛适用性,是多种电源管理和功率控制系统的理想选择。
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