--- 产品参数 ---
- 封装 TO263
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
B270N04-VB 是一款高性能单级N沟道 MOSFET,封装形式为 TO263。采用 Trench 技术,提供极低的导通电阻和高电流承载能力,设计用于高效、高电流的开关应用。
### 详细参数说明
- **型号**: B270N04-VB
- **封装**: TO263
- **配置**: 单级N沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**: 40V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 4.5V 栅极电压下: 2.5mΩ
- 10V 栅极电压下: 2mΩ
- **最大漏极电流 (ID)**: 150A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块
B270N04-VB 适用于以下领域和模块:
1. **高效电源开关**:用于高电流电源系统中,提供低损耗和高效率的开关功能。
2. **电动汽车**:在电动汽车的动力控制和电池管理系统中,处理大电流负载,提高系统的性能和稳定性。
3. **DC-DC 转换器**:用于高功率 DC-DC 转换器中,作为开关元件实现高效能量转换和降低功耗。
4. **工业应用**:在工业电源系统和功率控制模块中,处理高电流负载,确保系统的高效和稳定运行。
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