--- 产品参数 ---
- 封装 DFN8(5X6)
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
**BSC024N025S G-VB** 是一款单通道 N 型 MOSFET,采用 DFN8(5x6) 封装,设计用于高电流和低电压应用。其具备极低的 RDS(ON)(1.8mΩ @ VGS=10V),可以有效减少功耗和热量。该器件最大漏极电流为 160A,适合处理高负载电流。其阈值电压为 1.7V,栅极-源极耐压为 ±20V,确保了在复杂工作环境下的稳定性和可靠性。
### 详细参数说明
- **型号**: BSC024N025S G-VB
- **封装**: DFN8(5x6)
- **配置**: 单通道 N 型 MOSFET
- **漏极-源极耐压 (VDS)**: 30V
- **栅极-源极耐压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **RDS(ON)**: 2.5mΩ @ VGS = 4.5V
- **RDS(ON)**: 1.8mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 160A
- **技术**: 沟道工艺 (Trench)
### 应用领域和模块
**BSC024N025S G-VB** 适用于以下领域和模块:
1. **电源管理系统**:其低 RDS(ON) 和高电流能力使其非常适合用于高效电源管理模块和 DC-DC 转换器,减少能量损失。
2. **电机驱动**:能够处理高电流,在电机驱动电路中提供稳定的开关控制,适用于电动工具和工业应用。
3. **汽车电子**:在汽车电子系统中处理高电流负载,例如电动窗户和座椅调节系统。
4. **充电系统**:用于电池充电器中,提供高效的开关控制,优化充电过程并延长电池寿命。
5. **数据中心**:在数据中心电源模块中实现高效的功率转换和管理,满足高性能计算的需求。
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