--- 产品参数 ---
- 封装 DFN8(5X6)
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### BSC123N08NS3 G-VB MOSFET 产品简介
BSC123N08NS3 G-VB 是一款高性能单N通道MOSFET,封装在DFN8(5x6)外壳中。该MOSFET 专为需要高电流和高效率的应用而设计,提供卓越的性能和可靠性。其最大漏极-源极电压(VDS)为80V,栅极-源极电压(VGS)容差为±20V,适应各种电源管理和开关应用。BSC123N08NS3 G-VB 的阈值电压(Vth)为3V,确保在较低栅极电压下可靠启动。其导通电阻(RDS(ON))在VGS = 4.5V时为7mΩ,在VGS = 10V时为5mΩ,提供了高效的功率传输和低功耗。该MOSFET 的连续漏极电流(ID)可达到60A,适合处理较大的电流负荷。BSC123N08NS3 G-VB 采用先进的沟槽技术,优化了其开关性能和能效。
### BSC123N08NS3 G-VB MOSFET 详细参数说明
- **封装类型:** DFN8(5x6)
- **配置:** 单N通道
- **最大漏极-源极电压 (VDS):** 80V
- **最大栅极-源极电压 (VGS):** ±20V
- **阈值电压 (Vth):** 3V
- **导通电阻 (RDS(ON)):**
- VGS = 4.5V 时为 7mΩ
- VGS = 10V 时为 5mΩ
- **连续漏极电流 (ID):** 60A
- **技术:** 沟槽技术
### BSC123N08NS3 G-VB MOSFET 的应用领域
BSC123N08NS3 G-VB MOSFET 的高电流处理能力和低导通电阻使其在多个领域中表现优异。例如,在电源管理系统中,这款MOSFET 可以用于高效能的电源开关和电源调节模块,处理大电流负荷同时保持高效能。在电动汽车领域,它适合用于电机控制系统和电池管理模块中,以确保稳定和高效的电流供应。在工业应用中,BSC123N08NS3 G-VB 可用于高功率电机驱动器和电源转换设备,提供可靠的开关功能并降低能量损耗。此外,该MOSFET 也适用于高效能LED驱动器和其他高功率电子设备,提升整体性能和能效。
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