--- 产品参数 ---
- 封装 SC70-6
- 沟道 Dual-N+N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
**型号**: BSD235N-VB
**封装**: SC70-6
**配置**: 双N沟道MOSFET(N+N)
**技术**: 沟槽型技术
### 详细参数说明
- **VDS**: 20V (漏源极电压)
- **VGS**: ±12V (栅源极电压)
- **Vth**: 0.5~1.5V (栅源极阈值电压)
- **RDS(ON)**:
- 110mΩ @ VGS = 2.5V
- 86mΩ @ VGS = 4.5V
- **ID**: 2.6A (漏极电流)
### 应用领域和模块
1. **低功率开关**: 适用于小型电源管理和开关应用,如便携式设备和消费电子产品中的电源开关。
2. **信号调理**: 用于信号处理和调理电路中,提供稳定的开关性能和低导通电阻。
3. **电池管理**: 在电池供电的设备中实现高效的开关控制和节能操作。
4. **小型电机驱动**: 适合用于驱动小型电机或负载控制,确保高效和可靠的电流开关。
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