--- 产品参数 ---
- 封装 SOT23-3
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
**BSH101-VB** 是一款单通道 N 型 MOSFET,封装形式为 SOT23-3。此器件专为低电流和中等电压应用设计,具有较高的漏极-源极耐压(60V)和较低的 RDS(ON)(2800mΩ @ VGS=10V)。最大漏极电流为 0.3A,阈值电压为 1.7V,栅极-源极耐压为 ±20V。该 MOSFET 采用沟道工艺(Trench),适合小型电子设备和低功耗应用。
### 详细参数说明
- **型号**: BSH101-VB
- **封装**: SOT23-3
- **配置**: 单通道 N 型 MOSFET
- **漏极-源极耐压 (VDS)**: 60V
- **栅极-源极耐压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **RDS(ON)**: 3100mΩ @ VGS = 4.5V
- **RDS(ON)**: 2800mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 0.3A
- **技术**: 沟道工艺 (Trench)
### 应用领域和模块
**BSH101-VB** 适用于以下领域和模块:
1. **低功耗开关**:用于低电流开关电路,如小型电源开关和信号切换,适合手持设备和小型电子产品。
2. **电池管理**:在低电压电池管理系统中使用,提供高效的开关控制,适合便携式设备和低功耗电子产品。
3. **小型电机控制**:应用于低功耗电机驱动系统,如小型风扇、电动玩具和自动化设备。
4. **LED 驱动**:在小型 LED 驱动电路中提供稳定的开关控制,适合低功耗照明应用。
5. **通信设备**:用于通信设备中的开关和保护电路,确保可靠的信号传输和设备保护。
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