--- 产品参数 ---
- 封装 SC70-6
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
**1. 产品简介:**
BSH107-VB 是一款高效能 N-Channel MOSFET,封装为 SC70-6。采用 Trench 技术,具有低导通电阻和适中的电流承载能力,适合用于空间有限的应用场景。
**2. 详细参数说明:**
- **封装**: SC70-6
- **配置**: 单极性 N-Channel
- **漏极-源极电压 (VDS)**: 30V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 27mΩ(在 VGS=4.5V 时)
- 23mΩ(在 VGS=10V 时)
- **漏极电流 (ID)**: 4.5A
- **技术**: Trench
**3. 应用领域举例:**
BSH107-VB 适用于小型电子设备中的电源管理和开关应用,如便携式电源、通信设备、电池供电系统以及低功耗电子产品。其紧凑的封装和较低的导通电阻使其在有限空间内提供可靠的开关性能和高效的电流处理能力。
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