--- 产品参数 ---
- 封装 SOT23-3
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
BSH111-VB 是一款 N-Channel MOSFET,封装为 SOT23-3。它设计用于中等电压和电流应用,具有较高的门槛电压和适中的导通电阻,适合用于各种小型开关电路和低功率应用。
### 详细参数说明
- **型号**: BSH111-VB
- **封装**: SOT23-3
- **类型**: 单 N-Channel
- **漏源电压 (VDS)**: 60V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **门槛电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 3100 mΩ @ VGS = 4.5V
- 2800 mΩ @ VGS = 10V
- **连续漏电流 (ID)**: 0.3A
- **技术**: 沟槽型
### 适用领域和模块
BSH111-VB 适用于:
1. **小型开关电路**:其适中的电流和电压规格使其适合用于低功率开关应用,如信号开关。
2. **消费电子设备**:适合用于各种消费电子产品中的低电流开关和控制电路。
3. **低功率电源管理**:用于小型电源管理模块和低功率电源开关,确保稳定的开关性能。
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