--- 产品参数 ---
- 封装 SOT23-3
- 沟道 Single-P
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
BSH204-VB 是一款单通道 P 沟道 MOSFET,采用 SOT23-3 封装,适用于低电压电源开关和负载控制。它具备 -20V 的漏极-源极耐压、±12V 的栅极-源极耐压和 -0.8V 的栅极阈值电压。该 MOSFET 在 2.5V 的栅极驱动电压下,导通电阻为 80mΩ,在 4.5V 下为 65mΩ,在 10V 下为 60mΩ。最大漏极电流为 -4A,采用 Trench 技术,提供了优良的开关性能和低导通电阻。
### 参数说明
- **型号**: BSH204-VB
- **封装**: SOT23-3
- **配置**: 单通道 P 沟道 MOSFET
- **漏极-源极耐压 (VDS)**: -20V
- **栅极-源极耐压 (VGS)**: ±12V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: -0.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 80mΩ @ VGS = 2.5V
- 65mΩ @ VGS = 4.5V
- 60mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: -4A
- **技术**: Trench 技术
### 应用领域
BSH204-VB 适用于以下领域和模块:
- **电源开关**: 在小型电源管理系统中作为开关元件,提供低导通电阻和高效能控制。
- **负载开关**: 在移动设备或便携式电子产品中,控制低电压负载的开关操作。
- **电池管理**: 在电池供电的设备中进行负载切换和电源控制,提高系统效率。
- **消费电子**: 用于小型消费电子产品中,如智能手机和便携式音响的电源开关,确保可靠的电源管理。
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