--- 产品参数 ---
- 封装 TO220
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### BUK442-50B-VB 产品简介
**产品简介:**
BUK442-50B-VB 是一款高效能的单N沟道MOSFET,封装为TO220。其最大漏极电压(VDS)为60V,栅极电压(VGS)最大为±20V,阈值电压(Vth)为1.7V。该MOSFET在栅极电压为10V时的导通电阻(RDS(ON))为72mΩ,能够在高电流环境下提供可靠的开关性能。其最大连续漏极电流(ID)为20A,采用先进的沟槽技术(Trench)制造,确保了高效能和优良的电气性能。
### BUK442-50B-VB 详细参数说明
| 参数 | 值 |
|----------------|----------------------------|
| **封装类型** | TO220 |
| **配置** | 单N沟道 |
| **最大漏极电压(VDS)** | 60V |
| **最大栅极电压(VGS)** | ±20V |
| **阈值电压(Vth)** | 1.7V |
| **导通电阻(RDS(ON))** | 72mΩ @ VGS=10V |
| **最大连续漏极电流(ID)** | 20A |
| **技术** | 沟槽(Trench) |
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### BUK442-50B-VB 适用领域和模块
**电源管理系统:** BUK442-50B-VB 适用于电源管理系统中,如DC-DC转换器和开关电源。其60V的最大漏极电压和72mΩ的导通电阻使其能够高效地处理电源转换中的开关需求,确保稳定的能量转换和良好的热管理。
**电机驱动:** 在电机驱动应用中,例如电动工具和工业电机控制系统,BUK442-50B-VB 能够提供稳定的高电流驱动能力。其20A的最大电流处理能力和优良的开关性能使其适合用于电机控制中的高电流负载。
**汽车电子:** 在汽车电子系统中,特别是电源控制模块和车身控制单元,BUK442-50B-VB 能够在高电流和高电压条件下提供可靠的开关性能。其低导通电阻和高电流能力使其适合于汽车电源管理和保护应用。
**功率开关:** 该MOSFET 也适用于各种功率开关应用,如家电中的负载开关和工业设备中的功率控制。其高电流承载能力和低导通电阻能够实现高效的功率开关,提供稳定的性能和较长的使用寿命。
**LED驱动:** 在LED驱动模块中,BUK442-50B-VB 能够高效地调节电流,适用于高功率LED灯具的驱动。其良好的开关性能和较低的导通电阻有助于提高LED驱动器的效率和稳定性。
总之,BUK442-50B-VB 是一款具有优良开关性能和高电流处理能力的MOSFET,适用于电源管理、电机驱动、汽车电子、功率开关和LED驱动等多个领域,能够满足各种高性能应用的需求。
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