--- 产品参数 ---
- 封装 TO220
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
## 产品简介
**型号:BUK443-100B-VB**
BUK443-100B-VB是一款高性能单N沟道MOSFET,封装为TO220。这款MOSFET设计用于承受高达100V的漏源电压,提供高效的开关性能和稳定的电流控制。它采用了Trench技术,具有较低的导通电阻和高电流处理能力,适合用于各种功率开关和电源管理应用。其低阈值电压和宽栅源电压范围使其在不同工作条件下表现出色,适合高要求的电力控制场合。
## 详细参数说明
- **封装类型**:TO220
- **配置**:单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**:100V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 127mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**:18A
- **技术**:Trench
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## 应用领域和模块示例
**1. 电源管理**
BUK443-100B-VB非常适合用于电源管理应用,如DC-DC转换器和电源开关模块。其高电流承载能力和低导通电阻使其能够高效地进行电力转换和开关控制,帮助提高系统的整体效率和可靠性。
**2. 电动汽车**
在电动汽车的电池管理系统和电动机驱动中,BUK443-100B-VB可以用作高效的功率开关。其优良的开关特性和稳定的性能有助于管理电池电源和电动机负载,提升车辆的动力系统表现。
**3. 工业自动化**
在工业自动化系统中,如伺服电机控制和高功率开关,BUK443-100B-VB提供了可靠的电流控制和开关功能。其高电流处理能力和低导通电阻使其能够应对高负载应用,确保设备的稳定和高效运行。
**4. 通信设备**
在通信设备如基站和路由器的电源模块中,BUK443-100B-VB可以用于电源开关和负载调节。这款MOSFET能够提供稳定的电源控制,确保通信设备在高负载和高功率条件下的可靠性。
综上所述,BUK443-100B-VB凭借其100V的耐压、18A的高电流能力和127mΩ的导通电阻,广泛适用于电源管理、电动汽车、工业自动化和通信设备等需要高效功率开关和控制的应用领域。
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