--- 产品参数 ---
- 封装 TO220
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、BUK445-50B-VB 产品简介
BUK445-50B-VB 是一款高性能单N沟道MOSFET,采用TO220封装,并运用了先进的Trench技术。这款MOSFET 设计用于承受高达60V的漏源极电压,并能处理高达50A的漏极电流。它提供了非常低的导通电阻,适用于高电流和高效率的开关应用,特别是在要求低功耗和高稳定性的场景中表现出色。
### 二、BUK445-50B-VB 详细参数说明
- **型号**: BUK445-50B-VB
- **封装**: TO220
- **配置**: 单N沟道
- **漏源极电压 (VDS)**: 60V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 28mΩ @ VGS = 4.5V
- 24mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 50A
- **技术**: Trench
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### 三、BUK445-50B-VB 适用领域和模块举例
BUK445-50B-VB 的低导通电阻和高电流承载能力使其在多个领域和模块中非常适用:
1. **电源管理系统**: 由于其低导通电阻和高电流能力,BUK445-50B-VB 适合用于高效能的电源管理系统,如DC-DC转换器和稳压器。这些应用要求MOSFET 提供低功耗和高效率,特别是在高电流负荷下。
2. **电机驱动控制**: 在电动工具、电动汽车和其他电机驱动应用中,该MOSFET 能够处理高电流负荷,确保电机的稳定运行。其低导通电阻有助于提升电机控制的效率和性能。
3. **功率开关设备**: 在各种功率开关设备中,如开关电源和功率放大器,BUK445-50B-VB 的高电流承载能力和低导通电阻确保了开关过程的高效和可靠,适用于需要处理高功率负载的场景。
4. **低压电子变换器**: 在低压电子变换器应用中,如电动汽车充电器和便携式设备电源,BUK445-50B-VB 能够提供高效的开关控制,适合在低电压条件下的高电流应用。
BUK445-50B-VB 的优异性能在高电流和低导通电阻的应用场景中表现突出,是需要高效、可靠的电力电子系统中的理想选择。
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