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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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BUK446-800B-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: BUK446-800B-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 TO220
  • 沟道 Single-N

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介

**BUK446-800B** 是一款单极N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),封装形式为TO220。这款MOSFET采用平面(Plannar)技术,专为超高电压应用设计,具有极高的漏极-源极耐压能力和稳定的开关性能。其设计适用于需要高耐压和高电流处理的应用场合,能够在高电压环境下提供可靠的开关控制。

### 详细参数说明

- **型号**: BUK446-800B
- **封装**: TO220
- **配置**: 单极N沟道(Single-N-Channel)
- **漏极-源极耐压(V_DS)**: 850V
- **栅极-源极耐压(V_GS)**: ±30V
- **阈值电压(V_th)**: 3.5V
- **导通电阻(R_DS(ON))**: 2700mΩ(在V_GS = 10V时)
- **漏极电流(I_D)**: 4A
- **技术**: 平面(Plannar)

### 应用领域及模块示例

**1. 高电压电源管理:**  
BUK446-800B 的850V漏极-源极耐压使其特别适合用于高电压电源管理系统。例如,它可以用于高电压AC-DC转换器和电源开关模块,提供高电压环境下的稳定和可靠的开关性能。

**2. 工业高压控制:**  
在工业高压控制系统中,这款MOSFET 能够处理高电压和高功率负载。例如,它可以用于电机驱动和高压负载开关,在工业设备中提供稳定的控制和高效的开关能力。

**3. 高电压逆变器和变换器:**  
在高电压逆变器和电力变换器中,BUK446-800B 适用于需要高电压耐受和稳定性能的应用。例如,它可以用于高压太阳能逆变器和电力变换系统,确保高效的电力转换和稳定的操作。

**4. 电池保护系统:**  
这款MOSFET 也适用于高电压电池管理和保护系统中。虽然其漏极电流较低,但其高耐压能力可以用于电池保护电路中的高电压开关和过压保护,确保电池系统的安全性和稳定性。

**5. 高电压汽车电子:**  
在汽车电子系统中,尤其是在高电压电源和保护电路中,BUK446-800B 的高电压承载能力使其成为理想选择。例如,它可以用于高电压电池管理系统和电源开关控制,确保汽车电子系统的稳定运行。

这些应用示例展示了 BUK446-800B 在高电压环境中的广泛适用性,尽管其导通电阻相对较高,但其高耐压能力使其成为处理超高电压应用的理想选择。

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