--- 产品参数 ---
- 封装 TO220
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
**BUK446-800B** 是一款单极N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),封装形式为TO220。这款MOSFET采用平面(Plannar)技术,专为超高电压应用设计,具有极高的漏极-源极耐压能力和稳定的开关性能。其设计适用于需要高耐压和高电流处理的应用场合,能够在高电压环境下提供可靠的开关控制。
### 详细参数说明
- **型号**: BUK446-800B
- **封装**: TO220
- **配置**: 单极N沟道(Single-N-Channel)
- **漏极-源极耐压(V_DS)**: 850V
- **栅极-源极耐压(V_GS)**: ±30V
- **阈值电压(V_th)**: 3.5V
- **导通电阻(R_DS(ON))**: 2700mΩ(在V_GS = 10V时)
- **漏极电流(I_D)**: 4A
- **技术**: 平面(Plannar)
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### 应用领域及模块示例
**1. 高电压电源管理:**
BUK446-800B 的850V漏极-源极耐压使其特别适合用于高电压电源管理系统。例如,它可以用于高电压AC-DC转换器和电源开关模块,提供高电压环境下的稳定和可靠的开关性能。
**2. 工业高压控制:**
在工业高压控制系统中,这款MOSFET 能够处理高电压和高功率负载。例如,它可以用于电机驱动和高压负载开关,在工业设备中提供稳定的控制和高效的开关能力。
**3. 高电压逆变器和变换器:**
在高电压逆变器和电力变换器中,BUK446-800B 适用于需要高电压耐受和稳定性能的应用。例如,它可以用于高压太阳能逆变器和电力变换系统,确保高效的电力转换和稳定的操作。
**4. 电池保护系统:**
这款MOSFET 也适用于高电压电池管理和保护系统中。虽然其漏极电流较低,但其高耐压能力可以用于电池保护电路中的高电压开关和过压保护,确保电池系统的安全性和稳定性。
**5. 高电压汽车电子:**
在汽车电子系统中,尤其是在高电压电源和保护电路中,BUK446-800B 的高电压承载能力使其成为理想选择。例如,它可以用于高电压电池管理系统和电源开关控制,确保汽车电子系统的稳定运行。
这些应用示例展示了 BUK446-800B 在高电压环境中的广泛适用性,尽管其导通电阻相对较高,但其高耐压能力使其成为处理超高电压应用的理想选择。
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