--- 产品参数 ---
- 封装 TO220
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、产品简介
**BUK454-600B-VB** 是一款高电压单N沟道MOSFET,封装为TO220。该器件设计用于高电压应用,具有650V的漏源电压(VDS)和2A的连续漏极电流(ID)。采用Plannar技术,这款MOSFET 在高电压条件下提供稳定的性能,尽管其导通电阻相对较高,但仍能满足高电压开关应用的需求。BUK454-600B-VB 适用于需要高电压开关控制的应用场景。
### 二、详细参数说明
- **型号**:BUK454-600B-VB
- **封装类型**:TO220
- **配置**:单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**:650V
- **栅源电压 (VGS)**:±30V
- **栅极阈值电压 (Vth)**:3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 3900mΩ @ VGS = 4.5V
- 3120mΩ @ VGS = 10V
- **连续漏极电流 (ID)**:2A
- **技术**:Plannar
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### 三、应用领域和模块举例
**1. 高压电源开关**:
BUK454-600B-VB 适用于高压电源开关控制,如高压DC-DC转换器和AC-DC适配器。其650V的漏源电压使其能够处理高电压应用,尽管导通电阻较高,但在高电压环境中仍能提供可靠的开关控制。
**2. 逆变器**:
在高压逆变器中,例如用于太阳能逆变器或其他高压逆变系统,这款MOSFET 可以作为高电压开关组件。其高电压耐受能力确保了逆变器的稳定性和可靠性,能够处理高功率负载。
**3. 电力传输系统**:
BUK454-600B-VB 可用于电力传输系统中的开关控制,例如高压输电线路和电力分配系统。其高电压能力适合用于高压环境中的开关控制,尽管导通电阻较高,但能够满足特定的应用需求。
**4. 高压电源管理**:
在高压电源管理系统中,这款MOSFET 可用于高电压电源的开关控制。例如,在高压电池管理系统或高压电源供应系统中,BUK454-600B-VB 的高电压能力使其适合处理高电压负载。
**5. 高压工业设备**:
在某些工业设备中,BUK454-600B-VB 可以作为高电压开关组件,帮助控制高电压负载。其高电压耐受能力使其适合用于需要处理高电压和高功率的工业应用。
这些应用示例展示了BUK454-600B-VB 在高电压开关应用中的重要性和适用性。尽管其导通电阻较高,但其高电压能力使其在高电压环境中仍然具有重要作用。
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