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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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BUK552-100A-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: BUK552-100A-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 TO220
  • 沟道 Single-N

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

## BUK552-100A-VB MOSFET 产品简介

BUK552-100A-VB 是一款高性能单 N 通道 MOSFET,专为需要高效开关和放大的应用而设计。此 MOSFET 采用 TO220 配置封装,能够处理高功率水平,非常适合各种要求苛刻的应用。

## 详细参数说明

- **封装**:TO220
- **配置**:单 N 通道
- **漏源电压 (VDS)**:100V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:1.8V
- **漏源导通电阻 (RDS(ON))**:127mΩ @ VGS = 10V
- **连续漏极电流 (ID)**:18A
- **技术**:沟槽

## 应用示例

### 电源模块
BUK552-100A-VB MOSFET 具有高漏极电流能力 (18A) 和低导通电阻 (127mΩ),非常适合用于电源模块。这使其成为高效电源转换的理想选择,可减少热量产生并提高开关电源 (SMPS) 的整体效率。

### 电机控制
在电机控制应用中,BUK552-100A-VB 的坚固结构和高电流额定值使其适合在工业和汽车环境中驱动电机。其处理高电压和电流的能力确保了在控制电机速度和扭矩方面的可靠性能。

### 照明系统
MOSFET 的低阈值电压 (1.8V) 和高效率在照明系统(如 LED 驱动器)中具有优势。它可用于调节流过 LED 的电流,确保一致的亮度和能效。

### DC-DC 转换器
BUK552-100A-VB 也适用于 DC-DC 转换器,其沟槽技术和高电压耐受性可在从消费电子产品到电信设备的各种电子设备中实现高效的电压调节和转换。

总之,BUK552-100A-VB MOSFET 兼具高电压容量、低导通电阻和强大的电流处理能力,使其成为电源模块、电机控制、照明系统和 DC-DC 转换器应用的绝佳选择。其沟槽技术可确保在各种工作条件下实现可靠​​的性能和效率。

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