架构优势
单电源工作
- 全电压范围：读写操作电压为 2.7V 至 3.6V
存储架构
- 统一的 64KB 扇区
- 顶部或底部保护块（两个 64KB 扇区），每个可细分为 16 个 4KB 子扇区
- 页大小为 256 字节
- 与 S25FL032A 器件向后兼容
编程
- 页编程（最多 256 字节），典型时间为 1.5 毫秒
- 按页进行编程操作
- 通过 9V 的 W#/ACC 引脚实现加速编程模式
- 四路页编程
擦除
- 批量擦除功能
- 扇区擦除（SE）命令（D8h）用于擦除 64KB 扇区
- 子扇区擦除（P4E）命令（20h）用于擦除 4KB 子扇区
- 子扇区擦除（P8E）命令（40h）用于擦除 8KB 子扇区
循环耐久性
- 每个扇区典型值为 100,000 次循环
数据保存
- 典型保存时间为 20 年
器件标识
- JEDEC 标准的两字节电子签名
- RES 命令的单字节电子签名，用于向后兼容
一次性可编程（OTP）区域
- 用于永久、安全的身份识别；可在工厂或由客户进行编程和锁定
符合通用闪存接口（CFI）标准：主机系统可识别和适配多种闪存器件
工艺技术：采用 0.09 微米 MirrorBit® 工艺技术
封装选项
- 行业标准引脚
- 8 引脚 SO 封装（208 密耳）
- 16 引脚 SO 封装（300 密耳）
- 8 引脚 USON 封装（5×6 毫米）
- 8 引脚 WSON 封装（6×6 毫米）
- 24 球 BGA 6×8 毫米封装，5×5 引脚配置
- 24 球 BGA 6×8 毫米封装，6×4 引脚配置
性能特点
- 速度
- 正常读取（串行）：40MHz 时钟速率
- 快速读取（串行）：104MHz 时钟速率
- 双 I/O 快速读取：80MHz 时钟速率，有效数据速率 20MB/s
- 四路 I/O 快速读取：80MHz 时钟速率，有效数据速率 40MB/s
- 功耗
- 待机模式 80 微安（典型值）
- 深度掉电模式 3 微安（典型值）
存储保护特性
- 存储保护
- W#/ACC 引脚与状态寄存器位协同工作
- 保护指定存储区域
- 状态寄存器中的块保护位（BP2、BP1、BP0）将部分存储区域配置为只读
