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立年电子科技

射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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GTVA355001EC氮化镓 (GaN)on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

Cree
型号： GTVA355001EC

--- 产品参数 ---

  • 脉冲宽度 300 μs
  • 占空比 10%
  • 输出功率 P3dB = 500 W
  • 排水效率 65%
  • 增益 13 分贝

--- 产品详情 ---

描述
GTVA355001EC 是一款 500 瓦 GaN on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)，用于 2900 至 3500 MHz 频段。具有输入输出匹配功能；高效率; 和一个热增强封装。
 

GTVA355001EC

 

 

特征
宽带内部输入输出匹配
典型的脉冲连续波性能（AB 级）；3500兆赫；50伏；300 μs 脉冲宽度；10% 占空比；P3dB = 500 W 时的输出功率；排水效率 = 65%；增益 = 13 分贝
无铅且符合 RoHS 标准

应用
雷达放大器


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