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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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PXAE183708NB-V1 大功率射频 LDMOS FET 320 W CREE

型号: PXAE183708NB-V1

--- 产品参数 ---

  • 峰值 P3dB 315 W 典型值
  • P1dB 时的输出功 320 W
  • P3dB 时的输出功 430 W
  • 排水效率 60%
  • 增益 13.5 分贝

--- 产品详情 ---

描述
PXAE183708NB 是一款 320 瓦 LDMOS FET,旨在用于 1805 至 1880 MHz 频段的多标准蜂窝功率放大器应用。特征包括输入和输出匹配;带无耳法兰的高增益和热增强封装。采用先进的 LDMOS 工艺制造;该器件提供出色的热性能和卓越的可靠性。

PXAE183708NB-V1

 


特征
宽带内部输入输出匹配
非对称 Doherty 设计:主 P3dB = 160 W Typ;峰值 P3dB = 315 W 典型值
典型的脉冲连续波性能;1880兆赫;28 伏;多尔蒂配置;AB类(主要);C 类(峰值):P1dB 时的输出功率 = 320 W;P3dB 时的输出功率 = 430 W;排水效率 = 60%;增益 = 13.5 分贝
能够处理 10:1 VSWR @ 28 V;54 W (1C WCDMA) 输出功率
无铅;符合 RoHS 标准


应用
多标准蜂窝功率放大器


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