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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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PTVA043502EC-V1/PTVA043502FC-V1 大功率射频 LDMOS FET 350 W CREE

型号： PTVA043502EC-V1/PTVA043502FC-V

--- 产品参数 ---

  • 集成 ESD 保护
  • VSWR 10:1
  • 平均功率 70 W
  • 热效率 低热阻 高增益

--- 产品详情 ---

描述
PTVA043502EC 和 PTVA043502FC 是 LDMOS FET，设计用于 470 至 860 MHz 频段的功率放大器应用。特点包括高增益和热增强封装，带有螺栓固定和无耳法兰。采用先进的 LDMOS 工艺制造；这些器件提供出色的热性能和卓越的可靠性。

PTVA043502EC-V1/PTVA043502FC-V1

 


特征
输入匹配
集成 ESD 保护
低热阻
高增益
能够处理 10:1 VSWR @50 V；70 W 平均功率（DVB-T 8K OFDM；64QAM） 集成 ESD 保护
低热阻
无铅且符合 RoHS 标准


应用
470 – 860 MHz 频段的功率放大器


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