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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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PTVA101K02EV-V1 大功率射频 LDMOS FET 1000 W CREE

Cree FET LDMOS 放大器
型号： PTVA101K02EV-V1

--- 产品参数 ---

  • 集成 ESD 保护
  • 脉冲条件下承受 1000 W
  • 负载失配 10:1
  • LTDF 6.4%

--- 产品详情 ---

描述
PTVA101K02EV LDMOS FET 设计用于 1030 MHz / 1090 MHz 频段的功率放大器应用。特点包括高增益和带有螺栓固定法兰的热增强封装。采用先进的 LDMOS 工艺制造；该器件提供出色的热性能和卓越的可靠性。

PTVA101K02EV-V1

 


特征
宽带输入匹配
高增益和高效率
集成 ESD 保护
人体模型 2 类（根据 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）
低热阻
无铅且符合 RoHS 标准
能够在 MODE-S 脉冲条件下承受 1000 W 的 10:1 负载失配（所有相位角）；（32μS 开启/18μS 关闭）X 80；LTDF = 6.4%。


应用
1030 至 1090 MHz 频段的功率放大器


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