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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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PTVA102001EA-V1 大功率射频 LDMOS FET 200 W CREE

Cree FET LDMOS 放大器
型号： PTVA102001EA-V1

--- 产品参数 ---

  • VSWR 10:1
  • 输出功率 200 W (CW)
  • 集成 ESD 保护
  • 热效率 低热阻

--- 产品详情 ---

描述
PTVA102001EA 是一款 200 瓦 LDMOS FET，旨在用于 960 至 1600 MHz 频段的功率放大器应用。特点包括高增益和带有螺栓固定法兰的热增强封装。采用先进的 LDMOS 工艺制造；该器件提供出色的热性能和卓越的可靠性。

PTVA102001EA-V1

 


特征
输入匹配
能够处理 10:1 VSWR @50 V；200 W (CW) 输出功率
集成 ESD 保护
低热阻
无铅且符合 RoHS 标准


应用
960 至 1600 MHz 频段的功率放大器


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