SLVU2.8-8瞬态抑制二极管阵列，2.8V低电压

SLVU2.8-8瞬态抑制二极管阵列，2.8V低电压

SLVU2.8-8瞬态抑制二极管阵列，2.8V低电压，低电容浪涌保护器件，可保护低压CMOS设备免受ESD及雷击瞬态电压损害而设计。

SLVU2.8-8系列瞬态抑制二极管阵列都具有以下重要优势：

 　　? 每条线路的电容仅为2.6pF，比其它解决方案低57%，有助于保持信号完整性，并限度地降低数据丢失率，同时为设备提供更好的电气保护。

　　? 增强的ESD防御能力（±30kV接触放电，±30kV空气放电），远远高于IEC 61000-4-2的标准（±8kV），在安装和使用期间为设备提供的可靠性。

　　? 0.3Ω的低动态电阻（RDYN）为敏感的芯片组提供***箝位电压，保护其免受灾难性事件的影响，实现系统运行时间和可靠性。

　SLVU2.8-8内有八路集成TVS芯片，每个低压瞬态抑制二极管都有一个与之串联的补偿二极管，可为受保护的线路提供低负载电容。这些符合标准的设备可安全地吸收±30kV的反复性ESD震击，并在极低的箝位电压下安全地耗散高达30A的电流。”　　

SLVU2.8-8系列的典型应用包括保护10/100/1000以太网设备、WAN/LAN设备、开关系统、桌面计算机、服务器、笔记本电脑、模拟输入和基站。