--- 产品参数 ---
- 型号 NTB082N65S3F
- 厂家 ON
- 封装 TO-263
- 批号 21+
- 包装 盘装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
深圳市卓景佳鸿科技有限公司 主营ON INFINEON TI AID NXP 等国际品牌芯片 每一片都是原厂定货 型号繁多 未能尽录 有需求 欢迎来电交流 洽谈
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
连续漏极电流(Id) | 40A | |
功率(Pd) | 313W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 70mΩ@10V,20A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 5V@1mA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 81nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 3.41nF@400V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | - | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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