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深圳市聚成恒信电子科技有限公司

致力于全面服务射频微波,毫米微波客户,将射频微波,毫米微波原材料聚成恒信电子秉承长期合作拉近原厂与终端用户的距离为促进三方共赢的良性合作关系

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EC2612-99F 是一款射频晶体管

型号: EC2612-99F

--- 产品参数 ---

  • 晶体管类型 pHEMT
  • 技术 GaN on SiC、GaAs、GaN
  • 应用行业 雷达、无线基础设施
  • 连续波/脉冲 连续波
  • 频率 直流至 40 GHz

--- 产品详情 ---

United Monolithic Semiconductors 的 EC2612-99F 是一款射频晶体管,频率 DC 至 40 GHz,功率 24.47 dBm,功率 (W) 0.28 W,增益 8 至 14 dB,噪声系数 1.5 至 1.9 dB。标签:模具,芯片。EC2612-99F 的更多细节可以在下面看到。

利用 UMS EC2612 晶体管发挥 GaAs 的优势

EC2612-99F 是一款理想的小型晶体管,适用于低噪声应用和/或切换到非常高的频率。

EC2612-99F 蓝图

EC2 612-99F是一款非常小的高频晶体管,在直流到毫米波频率范围内具有非常高的增益和非常低的噪声系数。

0.8dB 噪声系数和 12dB 相关增益在 18GHz 或 1.5dB 噪声系数和 9.5dB 相关增益在 40GHz 是典型的品质因数。

这种 GaAs 0.15µm pHEMT 晶体管,当用于非常低的噪声放大时,通常偏置在 2 到 3 伏特,也可以用作具有极低寄生和非常宽带能力的源极接地理想开关,典型的夹断电压是 - 0.7伏。

这种小巧紧凑的 GaAs 晶体管非常适合许多需要高性能低噪声放大和将小信号切换到非常高频率的毫米波应用。

2021 年 10 月 26 日 - 产品

产品规格

产品详情

零件号

EC2612-99F

制造商

联合单片半导体

描述

DC 至 40 GHz 低噪声 GaN on SiC pHEMT

一般参数

晶体管类型

pHEMT

技术

GaN on SiC、GaAs、GaN

应用行业

雷达、无线基础设施

连续波/脉冲

连续波

频率

直流至 40 GHz

力量

24.47 分贝

功率(W)

0.28 瓦

获得

8 到 14 分贝

噪声系数

1.5 至 1.9 分贝

跨导

50 至 70 毫秒

电源电压

3伏

击穿电压 - 漏源

3.5V

电压 - 栅源 (Vgs)

-2.5 伏

栅极漏电流 (Ig)

0.005 毫安

包装类型

模具,芯片

RoHS

是的

工作温度

175摄氏度

贮存温度

-55 至 175 摄氏度

笔记

Pich Off 电压:-1 至 -0.3 V,饱和漏极电流:10 至 60 mA

 

CHX2092a99F

CHX1191-QDG

CHX2095a99F

CHX2091-99F

CHX2090-99F

CHX2089-99F

CHX2193-99F

CHU3377-98F

CHX1094-99F

CHX3068-QDG

CHU2277a98F

CHX2192-99F

CHC3014-99F

CHC2442-QPG

CHT4660-FAB

CHT4690-FAA

CHT4699-QDG

CHT3029-QEG

CHT4016-QEG

CHT4012a98F

CHE1270a98F

CHE1270-QAG

CHE1270a99F

CHE1260

CHE1260-QAG

CHE1270a98F

CHE1270-QAG

CHE1270a99

CHT4694-QAG

CHT4660-QAG

CHT4694-99F

CHT4690-99F

CHT3091aQAG

CHT3091a99F

CHT4690-QAG

CHM1080-98F

CHR3394-QEG

CHR2296-99F

CHM1298-99F

CHR2299-99F

CHR3662-QDG

CHR3693-QDG

CHR2297-98F

CHR2391-99F

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