United Monolithic Semiconductors 的 CHZ015A-QEG 是一款射频晶体管，频率为 1.2 至 1.4 GHz，功率 41.76 dBm，功率 (W) 15 W，占空比 0.1，小信号增益 18 至 19.5 dB。标签：表面贴装。CHZ015A-QEG 的更多详细信息见下文。
CHZ015A-QEG 采用 SMD 封装的 GaN 准 MMIC 器件
CHZ015A-QEG 是一款 GaN 15W L 波段 (1.2-1.4GHz) 输入匹配封装晶体管。它基于准MMIC技术。
该电路以脉冲模式工作，输出功率为 18W，相关增益超过 13dB，PAE 高达 55%。
它为 L 波段中的各种射频功率应用提供宽带解决方案。该电路特别适用于脉冲雷达应用。
CHZ015A-QEG 采用 0.5µm 栅极长度 GaN HEMT 工艺制造。它采用低成本 SMD 封装 24L-QFN 4×5。
主要特点：
| 频率范围： | 1.2-1.4GHz |
| 小信号增益： | 19.5分贝 |
| 力量： | >15W |
| 相关收益： | >13dB |
| PAE： | 高达 55% |
| 饱和漏极电流： | 650毫安 |
| 直流偏置： | VDS 45V @ ID_Q 100mA |
产品规格
产品详情
零件号
CHZ015A-QEG
制造商
联合单片半导体
描述
1.2 至 1.4 GHz 低噪声 GaN on SiC HEMT
一般参数
晶体管类型
HEMT
技术
碳化硅上氮化镓、氮化镓
应用行业
雷达、无线基础设施
应用
L波段
连续波/脉冲
脉冲，连续波
频率
1.2 至 1.4 GHz
力量
41.76 分贝
功率(W)
15 瓦
脉冲宽度
1.5毫秒
占空比
0.1
小信号增益
18 至 19.5 分贝
电源电压
45 伏
漏栅电压
200 伏
击穿电压 - 漏源
20 至 50 伏
电压 - 栅源 (Vgs)
-1.9 伏
漏电流
0.65 安
静态漏极电流
0.1 至 0.35 A
栅极漏电流 (Ig)
-1 毫安
结温 (Tj)
200摄氏度
热阻
5.5 度 C/W
包装类型
表面贴装
RoHS
是的
工作温度
-40 至 85 摄氏度
贮存温度
-55 至 150 摄氏度
笔记
栅极电流正向模式：0 至 8 mA，Pich Off 电压：-3 至 -1 V，饱和漏极电流：2.7 A
CHR3894-98F
CHR3764-QEG
CHR3694-QDG
CHR2293-99F
CHR3861-QEG
CHR3352-QEG
CHR3362-QEG
CHR3894-QEG
CHR2291-99F
CHR3693-99F
CHR3364-QEG
CHR3663-QEG
CHM2179b98F
CHM1291-99F
CHM2378a99F
CHM1294-99F
CHM1290-99F
CHR2294-99F
CHR2295-99F
CHR3664-QEG
CHR2292-99F
CHR2411-QDG
CHS8618-99F
CHS7012-99F
CHS5104-99F
CHS2412-QDG
CHS5104-QAG
CHS2411-QDG
CHS5100-99F
CHS5105-QAG
CHK8101-SYC
CHK8101a99F
CHK015AaQIA
CHZ9012-QFA
CHZ180AaSEB
CHK8013-99F
CHKA011aSXA
CHK8015-99F
CHZ015A-QEG
EC2612-99F
CHK015A-QIA
CHK9014-99F
CHZ180A-SEB
CHK9013-99F
