UMS 的 CHK8013-99F 是一款 GaN 功率晶体管，可在 DC 至 10 GHz 的脉冲和 CW 工作模式下工作。它提供 14 瓦的饱和输出功率和 17 dB 的小信号增益，并具有 70% 的 PAE。该器件需要 30 V 的电源电压。它是在 SiC 衬底上使用 0.25µm 栅极长度的 GaN HEMT 技术制造的，并且需要外部匹配电路。这种高电子迁移率晶体管可用作尺寸为 0.9 x 1.2 x 0.1 mm 的芯片，非常适合雷达和电信等各种射频功率应用。
新型 GaN 最先进晶体管：CHK8013-99F
CHK8013-99F 是一种新型 GaN 宽带能力晶体管，覆盖 DC 至 10GHz
它具有 14W 的功率和 70% 的非常好的 PAE。
它可实现高达 17dB 的增益和低至 180mA @30V 的消耗。
设计人员可以在脉冲和操作模式下使用 CHK8013-99F。本产品需要外部匹配电路。
该电路采用内部 GaN 0.25µm Hemt 工艺设计。
这种通用晶体管适用于广泛的射频功率应用，例如雷达和电信。
主要特点：
- 射频带宽：高达 10GHz
- 帕萨特：14W
- PAE：70% @Psat
- 直流偏置：Vd 高达 30V
- 脉冲和操作模式
产品规格
产品详情
零件号
CHK8013-99F
制造商
联合单片半导体
描述
从 DC 到 10 GHz 的 14 W GaN 功率晶体管
一般参数
晶体管类型
HEMT
技术
碳化硅上氮化镓、氮化镓
应用行业
雷达，蜂窝
连续波/脉冲
连续波，脉冲
频率
直流至 10 GHz
力量
41.46 分贝
功率(W)
14 W（饱和）
小信号增益
17分贝
功率附加效率
70%
电源电压
30 伏
电压 - 栅源 (Vgs)
-3.3 伏
漏电流
0.9 安
栅极漏电流 (Ig)
-0.7 毫安
结温 (Tj)
200摄氏度
包装类型
死
方面
0.9 x 1.2 x 0.1 毫米
RoHS
是的
贮存温度
-55 至 150 摄氏度
CHA4220-QGG
CHA3024-QGG
CHA3024-99F
CHA5659-QXG
CHA3666-FAA
CHA4220-98F
CHA6356-QXG
CHA6252-QFG
CHA6558-99F
CHA5356-QGG
CHA6005-99F
CHA6005-QEG
CHA6362-QXG
CHA6552-QJG
CHA8012-99F
CHA3513-99F
CHA6250-QFG
CHA3514-99F
CHA3512-99F
CHA3511-99F
CHA6015-99F
CHA5012-99F
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CHA3218-99F
CHA7012-99F
CHA2494-98F
CHA2395-99F
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CHA1077a98F
CHA2391-99F
CHA2411-QDG
CHA4105-QDG
CHA2095a99F
CHA5014-99F
CHA3689-99F
CHA4863-QGG
CHA3664-QAG
CHA2069-99F
CHA5115-QDG
CHA3023-99F
CHA2159-99F
CHA7215-99F
CHA2093-99F
CHA2194-99F
