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卓景佳鸿科技

卓景佳鸿科技 携手共创未来

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NVMFS5C682NLAFT1G 场效应管 QFN

型号: NVMFS5C682NLAFT1G
品牌: ON(安森美)

--- 产品参数 ---

  • 型号 NVMFS5C682NLAFT1G
  • 厂家 ON
  • 批号 22+
  • 封装 QFN
  • 包装 卷带盘装

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

品牌

ON

封装

DFN8

批次

21+

数量

10000

制造商

ON Semiconductor

产品种类

MOSFET

RoHS

安装风格

SMD/SMT

封装 / 箱体

SO-FL-8

通道数量

1 Channel

晶体管极性

N-Channel

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Id-连续漏极电流

25 A

Rds On-漏源导通电阻

21 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压

20 V

Vgs th-栅源极阈值电压

2 V

Qg-栅极电荷

5 nC

最小工作温度

- 55 C

最大工作温度

+ 175 C

Pd-功率耗散

28 W

配置

Single

通道模式

Enhancement

资格

AEC-Q101

晶体管类型

1 N-Channel

正向跨导 - 最小值

17 S

下降时间

1.5 ns

上升时间

12 ns

典型关闭延迟时间

12 ns

典型接通延迟时间

12 ns

可售卖地

全国

型号

NVMFS5C682NLAFT1G

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