--- 产品参数 ---
- 型号 NVMFS5C682NLAFT1G
- 厂家 ON
- 批号 22+
- 封装 QFN
- 包装 卷带盘装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
品牌
ON
封装
DFN8
批次
21+
数量
10000
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-FL-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
25 A
Rds On-漏源导通电阻
21 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Qg-栅极电荷
5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
28 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
晶体管类型
1 N-Channel
正向跨导 - 最小值
17 S
下降时间
1.5 ns
上升时间
12 ns
典型关闭延迟时间
12 ns
典型接通延迟时间
12 ns
可售卖地
全国
型号
NVMFS5C682NLAFT1G
为你推荐
-
NGTB40N120FL2WG IGBT 40A 1200V TO-2472022-09-05 16:06
产品型号:NGTB40N120FL2WG 型号:NGTB40N120FL2WG 厂家:ON 封装:TO-247 批号:22+ 包装:管装 -
MOC3083M 光耦 可控硅信号输出DIP-62022-09-05 16:00
产品型号:MOC3083M 型号:MOC3083M 厂家:ON 封装:DIP-6 批号:22+ 包装:管装 -
SGL160N60UFD IGBT 160A 600V TO-2642022-09-05 15:56
产品型号:SGL160N60UFD 型号:SGL160N60UFD 厂家:ON 封装:TO-264 批号:22+ 包装:管装 -
FGL60N100BNTD IGBT 1000V 60A 180W TO264 2022-09-05 15:51
产品型号:FGL60N100BNTD 型号:FGL60N100BNTD 厂家:ON 封装:TO-264 批号:22+ 包装:管装 -
FGH60N60SMD IGBT 600V 120A 600W TO2472022-09-05 15:46
产品型号:FGH60N60SMD 型号:FGH60N60SMD 厂家:ON 封装:TO-247 批号:21+ 包装:管装 -
FGA60N65SMD IGBT 60A 650V TO-2472022-09-05 15:40
产品型号:FGA60N65SMD 型号:FGA60N65SMD 厂家:ON 封装:TO-247 批号:22+ 包装:管装 -
SGH40N60UFD IGBT 40A 600V TO-2472022-09-05 15:33
产品型号:SGH40N60UFD 型号:SGH40N60UFD 厂家:SGH40N60UFD 封装:TO-247 批号:22+ 包装:管装 -
FCH072N60F MOSFET 600V, 52A, 72mOhm N-Channel Mosfet2022-09-05 15:28
产品型号:FCH072N60F 型号:FCH072N60F 厂家:ON 封装:TO-247 批号:22+ 包装:管装 -
FCH104N60F MOSFET N-Channel SuperFET 37A 600V2022-09-05 15:23
产品型号:FCH104N60F 型号:FCH104N60F 厂家:ON 批号:21+ 封装:TO-247 包装:管装 -
FGA40N65SMD IGBT 650V 40A 349W to-3p2022-09-05 15:16
产品型号:FGA40N65SMD 型号:FGA40N65SMD 厂家:ON 封装:TO-3P 批号:21+ 包装:管装