--- 产品参数 ---
- 内核 32 bit ARM Cortex-M4内核
- 主频 最高工作主频108MHz
- Flash 集成高达128KB嵌入式加密Flash
- Sram 32KB SRAM
- ADC 内置1个12bit 5Msps ADC
- DAC 1个1Msps 12bit DAC
- 接口 5个U(S)ART接口、1个LPUART
- 接口 2个SPI接口、 2个I2C接口
- 接口 1个USB2.0 FS Device接口、1个CAN
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
N32G432系列采用32 bit ARM Cortex-M4内核,最高工作主频108MHz,支持浮点运算和DSP指令,集成高达128KB嵌入式加密Flash,32KB SRAM,集成丰富的高性能模拟器件,内置1个12bit 5Msps ADC,1个1Msps 12bit DAC,集成多路U(S)ART、I2C、SPI、USB、CAN等数字通信接口, 内置密码算法硬件加速引擎
■ 内核CPU
― 32位ARM Cortex-M4 内核+ FPU,单周期硬件乘除法指令,支持DSP指令和MPU
― 内置2KB 指令Cache缓存,支持Flash加速单元执行程序 0 等待
― 最高主频108MHz,135DMIPS
■ 加密存储器
― 高达128KByte片内Flash,支持加密存储、分区管理及数据保护,支持硬件ECC校验,10万次擦写次数,10年数据保持
― 高达32KByte片内SRAM(包含8KByte Retention RAM),支持硬件奇偶校验
■ 低功耗管理
― Power down 模式:0.8uA
― Standby模式:2uA,所有备份寄存器保持,所有IO保持,可选RTC Run,8KByte Retention SRAM保持, 快速唤醒
― Stop2模式:4uA,RTC Run ,8KByte Retention SRAM保持,CPU寄存器保持,所有IO保持,快速唤醒
■ 高性能模拟接口
― 1个12bit 5Msps ADC,多种精度可配置,6bit 模式下采样率高达9Msps,多达16路外部单端输入通道,支持差分模式
― 1个12bit DAC,采样率1Msps
― 内部2.048V独立参考电压基准源
― 所有模拟接口支持1.8~3.6V全电压工作
■ 时钟
― 4MHz~32MHz外部高速晶体
― 32.768KHz外部低速晶体
― 内部高速RC 16MHz
― 内部低速RC 40KHz
― 内置高速PLL
― 支持1路时钟输出,可配置为低速或高速时钟输出
■ 复位
― 支持上电/掉电/外部引脚复位
― 支持可编程的低电压检测及复位
― 支持看门狗复位
■
最大支持52个 GPIOs,最大翻转速度50MHz.
■ 通信接口
― 5个U(S)ART接口,其中3个USART接口(支持1xISO7816,1xIrDA,LIN),2个UART接口
― 1个LPUART,支持STOP2低功耗状态下唤醒MCU
― 2个SPI接口,速率高达27 MHz,支持I2S通信
― 2个I2C接口,速率高达1 MHz,主从模式可配,从机模式下支持双地址响应
― 1个USB2.0 FS Device接口
― 1个CAN 2.0B总线接口
■
1个高速DMA控制器,每个控制器支持8通道,通道源地址及目的地址任意可配
■
RTC实时时钟,支持闰年万年历,闹钟事件,周期性唤醒,支持内外部时钟校准
■ 定时计数器
― 2 个16bit高级定时计数器,支持输入捕获,互补输出 ,正交编码输入,最高控制精度9.25nS;每个定时器有4个独立的通道,其中3个通道支持6路互补PWM输出
― 5个 16bit通用定时计数器, 每个定时器有4个独立通道,支持输入捕获/输出比较/PWM输出
― 2个16bit基础定时计数器
― 1个16bit 低功耗定时计数器,支持双脉冲计数功能,可在STOP2状态下工作
― 1x 24bit SysTick
― 1x 7bit 窗口看门狗(WWDG)
― 1x 12bit独立看门狗( IWDG)
■ 编程方式
― 支持SWD/JTAG在线调试接口
― 支持UART、USB Bootloader
■ 安全特性
― 内置密码算法硬件加速引擎
― 支持AES、DES、TDES、SHA1/224/256,SM1、SM3、SM4、SM7算法
― Flash存储加密,多用户分区管理(MMU)
― TRNG真随机数发生器
― CRC16/32运算
― 支持写保护(WRP),多种读保护(RDP)等级(L0/L1/L2)
― 支持安全启动,程序加密下载,安全更新
― 支持外部时钟失效监测,防拆监测
■ 128位UCID
■ 工作条件
― 工作电压范围:1.8V~3.6V
― 工作温度范围:-40℃~105℃
― ESD:±4KV(HBM模型), ±1KV(CDM模型)
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