--- 产品参数 ---
- 频率 12GHz
- 力量 10分贝
- 功率(W) 0 至 0.01 瓦
- 获得 9.5 至 10.5 分贝
- 噪声系数 1.1 至 1.35 分贝
--- 产品详情 ---
Sumitomo Electric Device Innovations 的 FHX06X 是一款射频晶体管,频率为 12 GHz,功率为 10 dBm,功率(W)为 0 至 0.01 W,增益为 9.5 至 10.5 dB,噪声系数为 1.1 至 1.35 dB。标签: 芯片。FHX06X 的更多细节可以在下面看到。
零件号 | FHX06X |
---|---|
功能 | GaAs FET 和 HEMT 芯片 |
特征 |
|
描述 | FHX04X、FHX05X、FHX06X 是高电子迁移率晶体管 (HEMT),适用于 2-18GHz 频率范围内的通用、低噪声和高增益放大器。这些器件非常适合电信、DBS、TVRO、VSAT 或其他低噪声应用。住友电工严格的质量保证计划可确保最高的可靠性和始终如一的性能。 |
噪声系数 NF Typ. (D b) | 1.1 |
---|---|
相关增益气体典型值。(D b) | 10.5 |
漏极电压 VDS (V) | 2 |
漏极电流 lDS (mA) | 10 |
频率 f (GHz) | 12 |
应用 | 低噪声放大器 |
笔记 | Tc(op)=+25°C 常规芯片 |
产品规格
产品详情
零件号
FHX06X
制造商
住友电工
描述
12 GHz、9.5 至 10.5 dB 增益 GaAs HEMT
一般参数
晶体管类型
HEMT
技术
砷化镓
应用行业
卫星通信
频率
12GHz
力量
10分贝
功率(W)
0 至 0.01 瓦
获得
9.5 至 10.5 分贝
噪声系数
1.1 至 1.35 分贝
电源电压
2伏
输入功率
-10 至 5 dBm
漏电流
15 至 60 毫安
热阻
220 至 300 度 C/W
包装类型
芯片
RoHS
是的
贮存温度
-65 至 175 摄氏度
笔记
栅源击穿电压:-0.3 V
EMM5836V1B
SMM5854V1D
FMM5057VF
EMM5078ZV
EMM5077VU
FMM5056VF
EMM5074VU
SGM6906VU
SGC1011-300B-R
SGC8595-300B-R
SGM6901VU
SGC0910-300B-R
SGNH130M1H
SGK7185-20A
FSX017LG
FSX027WF
SGC8598-100A-R
SGC1112-100A-R
SGC1112-100A-R
SGK0910-30A-R
SGK0910-60A-R
FSX017WF
SGC0910-200A-R
SGNE070MK
SGNE030MK
SGNE045MK
SGNE090MK
FSU02LG
FSU01LG
SGK0910-120A-R
SGC8598-50A-R
SGNE010MK
EGN26C070MK
SGN26C050MK
SGN27C160I2D
SGN19C320I2D
EGN26C160I2D
SGNC320MK
EGN35C070I2D
SGN21C320I2D
EGN26C070I2D
SGN1214-220H-R
SGN27C210I2D
SGN2731-500H-R
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