--- 产品参数 ---
- 频率 1.9GHz
- 力量 50分贝
- 功率(W) 100 瓦
- 饱和功率 52.2 至 53 dBm
- 功率增益 (Gp) 17.5 至 18.5 分贝
--- 产品详情 ---
Sumitomo Electric Device Innovations 的 SGN19C210I2D 是一款射频晶体管,频率为 1.9 GHz,功率为 50 dBm,功率(W)为 100 W,饱和功率为 52.2 至 53 dBm,功率增益(Gp)为 17.5 至 18.5 dB。标签:法兰。SGN19C210I2D 的更多详细信息见下文。
产品规格
产品详情
零件号
SGN19C210I2D
制造商
住友电工设备创新
描述
1.9 GHz,增益 GaN on SiC HEMT
一般参数
晶体管类型
HEMT
技术
碳化硅上氮化镓、氮化镓
应用行业
无线基础设施
申请类型
L波段
应用
基站,LTE
频率
1.9GHz
力量
50分贝
功率(W)
100 瓦
饱和功率
52.2 至 53 dBm
功率增益 (Gp)
17.5 至 18.5 分贝
电源电压
50 伏
电压 - 漏源 (Vdss)
50 伏
电压 - 栅源 (Vgs)
-15 伏
排水效率
28% 到 32%
功耗 (Pdiss)
173 瓦
热阻
1.1 至 1.3 度 C/W
包装类型
法兰式
RoHS
是的
贮存温度
-65 至 175 摄氏度
笔记
正向栅极电流:204 mA,反向栅极电流:-7.8 mA
FLM1314-3F
FLM1011-15F
FLM1011-4F
FLM1011-12F
FLM1213-8F
FLM0910-8F
FLM0910-25F
FLM0910-12F
FLM7785-12F
FLM8596-4F
FLM7185-6F
FLM7785-45F
ELM7785-35F
ELM7785-16F
FLM8596-8F
ELM7785-60F
FLM7785-6F
FLM7785-4F
FLM8596-15F
FLM7785-18F
FLM7785-8F
ELM7785-10F
FLM7185-12F
FLM7179-18F
FLM8596-12F
FLM6472-4F
FLM5972-4F
FLM6472-18F
ELM7179-16F
ELM7179-10F
FLM7179-4F
ELM6472-16F
FLM5972-8F
ELM6472-10F
FLM7179-6F
FLM6472-25F
FLM7179-12F
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FLM5972-12F
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