--- 产品参数 ---
- 功率(W) 15.85 瓦
- 饱和功率 44 至 45 dBm
- 功率增益 (Gp) 18 至 19 分贝
- 电源电压 50 伏
- 电压 - 漏源 (V 50 伏
--- 产品详情 ---
Sumitomo Electric Device Innovations 的 EGN21C030MK 是一款射频晶体管,频率为 2.14 GHz,功率为 42 dBm,功率(W)为 15.85 W,饱和功率为 44 至 45 dBm,功率增益(Gp)为 18 至 19 dB。标签:法兰。EGN21C030MK 的更多细节可以在下面看到。
产品规格
产品详情
零件号
EGN21C030MK
制造商
住友电工设备创新
描述
2.14 GHz,增益 GaN on SiC HEMT
一般参数
晶体管类型
HEMT
技术
碳化硅上氮化镓、氮化镓
应用行业
无线基础设施
应用
WCDMA、LTE、基站
频率
2.14GHz
力量
42分贝
功率(W)
15.85 瓦
饱和功率
44 至 45 dBm
功率增益 (Gp)
18 至 19 分贝
电源电压
50 伏
电压 - 漏源 (Vdss)
50 伏
电压 - 栅源 (Vgs)
-15 伏
排水效率
10.5 至 12.5%
功耗 (Pdiss)
37.5 瓦
热阻
5 到 6 度 C/W
包装类型
法兰式
RoHS
是的
贮存温度
-65 至 175 摄氏度
笔记
正向栅极电流:69 mA,反向栅极电流:-1.1 mA
EMM5836V1B
SMM5854V1D
FMM5057VF
EMM5078ZV
EMM5077VU
FMM5056VF
EMM5074VU
SGM6906VU
SGC1011-300B-R
SGC8595-300B-R
SGM6901VU
SGC0910-300B-R
SGNH130M1H
SGK7185-20A
FSX017LG
FSX027WF
SGC8598-100A-R
SGC1112-100A-R
SGC1112-100A-R
SGK0910-30A-R
SGK0910-60A-R
FSX017WF
SGC0910-200A-R
SGNE070MK
SGNE030MK
SGNE045MK
SGNE090MK
FSU02LG
FSU01LG
SGK0910-120A-R
SGC8598-50A-R
SGNE010MK
EGN26C070MK
SGN26C050MK
SGN27C160I2D
SGN19C320I2D
EGN26C160I2D
SGNC320MK
EGN35C070I2D
SGN21C320I2D
EGN26C070I2D
SGN1214-220H-R
SGN27C210I2D
SGN2731-500H-R
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