--- 产品参数 ---
- 频率 2.14GHz
- 力量 40.5 分贝
- 功率(W) 11.22 瓦
- 饱和功率 42.5 至 43.5 dBm
- 功率增益 (Gp) 18 至 19 分贝
--- 产品详情 ---
Sumitomo Electric Device Innovations 的 EGN21C020MK 是一款射频晶体管,频率为 2.14 GHz,功率为 40.5 dBm,功率(W)为 11.22 W,饱和功率为 42.5 至 43.5 dBm,功率增益(Gp)为 18 至 19 dB。标签:法兰。EGN21C020MK 的更多细节可以在下面看到。
产品规格
产品详情
零件号
EGN21C020MK
制造商
住友电工设备创新
描述
2.14 GHz,增益 GaN on SiC HEMT
一般参数
晶体管类型
HEMT
技术
碳化硅上氮化镓、氮化镓
应用行业
无线基础设施
应用
WCDMA、LTE、基站
频率
2.14GHz
力量
40.5 分贝
功率(W)
11.22 瓦
饱和功率
42.5 至 43.5 dBm
功率增益 (Gp)
18 至 19 分贝
电源电压
50 伏
电压 - 漏源 (Vdss)
50 伏
电压 - 栅源 (Vgs)
-15 伏
排水效率
10.5 至 12.5%
功耗 (Pdiss)
32.1 瓦
热阻
6 到 7 度 C/W
包装类型
法兰式
RoHS
是的
贮存温度
-65 至 175 摄氏度
笔记
正向栅极电流:46 mA,反向栅极电流:-0.7 mA
SMM5730XZ
SMM5731XZ
SMM5729XZ
SMM5728XZ
FMM5715X
FMM5704X
FMM5820X
SMM5727XZ
FMM5804X
SMM5846X
EMM5840X
FMM5716X
SMM5724XZ
FMM5714X
FMM5701X
FMM5703X
SMM5722XZ
SMM5723XZ
SMM5850XZ
FMM5709X
SMM5849XZ
EMM5832VU
EMM5074X
EMM5838V1B
EMM5068X
SMM5848XZ
EMM5075X
EMM5717X
EMM5078X
FMM5822X
SMM5855V1D
SMM5846V1D
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