--- 产品参数 ---
- 频率 2.6GHz
- 力量 50.5 分贝
- 功率(W) 112.2 瓦
- 饱和功率 52 至 53 dBm
- 功率增益 (Gp) 15 至 16 分贝
--- 产品详情 ---
Sumitomo Electric Device Innovations 的 EGN26C210I2D 是一款射频晶体管,频率 2.6 GHz,功率 50.5 dBm,功率 (W) 112.2 W,饱和功率 52 至 53 dBm,功率增益 (Gp) 15 至 16 dB。标签:法兰。有关 EGN26C210I2D 的更多详细信息,请参见下文。
产品规格
产品详情
零件号
EGN26C210I2D
制造商
住友电工设备创新
描述
2.6 GHz,增益 GaN on SiC HEMT
一般参数
晶体管类型
HEMT
技术
碳化硅上氮化镓、氮化镓
应用行业
无线基础设施
申请类型
L波段
应用
基站,LTE
频率
2.6GHz
力量
50.5 分贝
功率(W)
112.2 瓦
饱和功率
52 至 53 dBm
功率增益 (Gp)
15 至 16 分贝
电源电压
50 伏
电压 - 漏源 (Vdss)
50 伏
电压 - 栅源 (Vgs)
-15 伏
排水效率
25% 到 30%
功耗 (Pdiss)
173 瓦
热阻
1.1 至 1.3 度 C/W
包装类型
法兰式
RoHS
是的
贮存温度
-65 至 175 摄氏度
笔记
正向栅极电流:204 mA,反向栅极电流:-7.8 mA
FLM3439-25F
FLM3742-12F
FLM3135-12F
FLM3742-8F
ELM7785-7PS
ELM5964-7PS
ELM6472-7PS
ELM6472-4PS
ELM7179-4PS
ELM7785-4PS
ELM5964-4PS
ELM7179-7PS
SGC8598-200A-R
SGC0910-300A-R
SGN3135-500H-R
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