--- 产品参数 ---
- 频率 2.6GHz
- 力量 50分贝
- 功率(W) 100 瓦
- 饱和功率 54.2 至 55 dBm
- 功率增益 (Gp) 15 至 16 分贝
--- 产品详情 ---
Sumitomo Electric Device Innovations 的 SGN26C320I2D 是一款射频晶体管,频率 2.6 GHz、功率 50 dBm、功率 (W) 100 W、饱和功率 54.2 至 55 dBm、功率增益 (Gp) 15 至 16 dB。标签:法兰。SGN26C320I2D 的更多详细信息见下文。
产品规格
产品详情
零件号
SGN26C320I2D
制造商
住友电工设备创新
描述
2.6 GHz,增益 GaN on SiC HEMT
一般参数
晶体管类型
HEMT
技术
碳化硅上氮化镓、氮化镓
应用行业
无线基础设施
申请类型
L波段
应用
基站,LTE
频率
2.6GHz
力量
50分贝
功率(W)
100 瓦
饱和功率
54.2 至 55 dBm
功率增益 (Gp)
15 至 16 分贝
电源电压
50 伏
电压 - 漏源 (Vdss)
50 伏
电压 - 栅源 (Vgs)
-15 伏
功耗 (Pdiss)
141 瓦
热阻
1.2 至 1.6 度 C/W
包装类型
法兰式
RoHS
是的
贮存温度
-65 至 175 摄氏度
笔记
正向栅极电流:358 mA,反向栅极电流:-11.7 mA
FLC097WF
FLX207MH-12
FLC257MH-8
FLC087XP
FLC257MH-6
FLL400IP-2
FLK057WG
FLK107MH-14
FLU10ZME1
FLU35XM
FLM1415-3F
FLU10XM
FLU17ZME1
FLL177ME
FLL107ME
FLL57MK
FLU17XM
FLM1415-4F
FLM1415-6F
FLU35ZME1
FLM1415-8F
FLM1414-12F
ELM1414-30F/001
FLL357ME
ELM1314-30F/001
FLM1414-4F
FLM1414-3F
FLM1314-12F
FLM1314-18F
FLM1414-8F
FLM1414-6F
ELM1314-9F
FLM1314-6F
FLM1213-4F
FLM0910-4F
FLM1213-6F
FLM1213-12F
FLM0910-15F
FLM1011-8F
FLM1011-6F
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FLM0910-3F
FLM1011-3F
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