--- 产品参数 ---
- 频率 11.4 至 12 GHz
- 力量 49.5 至 51 dBm
- 功率(W) 89.13 至 125.89 瓦
- 脉冲宽度 100 微秒
- 功率增益 (Gp) 7.5 至 9 分贝
--- 产品详情 ---
Sumitomo Electric Device Innovations 的 SGC1112-100A-R 是一款射频晶体管,频率 11.4 至 12 GHz,功率 49.5 至 51 dBm,功率 (W) 89.13 至 125.89 W,功率增益 (Gp) 7.5 至 9 dB,功率附加效率0.36。标签:法兰。SGC1112-100A-R 的更多详细信息如下所示。
产品规格
产品详情
零件号
SGC1112-100A-R
制造商
住友电工设备创新
描述
11.4 至 12 GHz,增益 GaN on SiC HEMT
一般参数
晶体管类型
HEMT
技术
碳化硅上氮化镓、氮化镓
应用行业
雷达
申请类型
X波段
连续波/脉冲
脉冲
频率
11.4 至 12 GHz
力量
49.5 至 51 dBm
功率(W)
89.13 至 125.89 瓦
脉冲宽度
100 微秒
功率增益 (Gp)
7.5 至 9 分贝
功率附加效率
0.36
电源电压
50 伏
电压 - 漏源 (Vdss)
50 伏
电压 - 栅源 (Vgs)
-15 伏
漏电流
6.1 至 7.9 A
阻抗 Z
50 欧姆
热阻
1.4 到 1.8 摄氏度/W
包装类型
法兰式
RoHS
是的
贮存温度
-55 至 125 摄氏度
笔记
饱和漏极电流:11 A,正向栅极电流:6 mA,反向栅极电流:4.5 mA
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