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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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D2225UK RF MOSFET 晶体管

型号: D2225UK

--- 产品参数 ---

  • 制造商 TT
  • 包装/案例 SOIC-8
  • 最高工作温度 + 150 摄氏度
  • 工作频率 1GHz
  • 输出功率 5 瓦
  • 击穿电压 40 伏
  • 栅源阈值电压 0.5V 至 7V

--- 产品详情 ---

TT多用途硅DMOS射频场效应管 5W - 12.5V- 1GHz

D2225UK

 

 

规格
制造商 TT 
包装/案例 SOIC-8 
配置 双重的 
Id - 连续漏极电流 4个 
最高工作温度 + 150 摄氏度 
安装方式 贴片/贴片 
工作频率 1GHz 
输出功率 5 瓦 
打包 块 
Pd - 功耗 17.5 瓦 
产品类别 射频 MOSFET 晶体管 
技术 硅 
晶体管极性 N通道 
类型 射频功率 MOSFET 
Vds - 漏源击穿电压 40 伏 
Vgs th - 栅源阈值电压 0.5V 至 7V

 

 

应用
HF/VHF/UHF 通信
从 1MHz 到 1GHz

 

 

 

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